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进口MURATA晶振,CSTCR-G晶振,CSTCR6M40G55Z-R0晶振

  • 频率:6.4000MHZ
  • 尺寸:4.5*2.0mm
  • 应 用: MEMS硅晶振与石英晶振区别:进口MURATA晶振,CSTCR-G晶振,CSTCR6M40G55Z-R0晶振MEMS硅晶振采用硅为原材料,采用先进的半导体工艺制造而成。因此在高性能与低成本方面,有明显于石英的优势,具体表现在以下方面:1)全自...
  • RoHS RoHS2


        MEMS硅晶振与石英晶振区别:进口MURATA晶振,CSTCR-G晶振,CSTCR6M40G55Z-R0晶振
MEMS硅晶振采用硅为原材料,采用先进的半导体工艺制造而成。因此在高性能与低成本方面,有明显于石英的优势,具体表现在以下方面:
1) 全自动化半导体工艺(芯片级),无气密性问题,永不停振。
2) 内部包含温补电路,无温漂,-40—85℃全温保证。
3) 平均无故障工作时间5亿小时。
4) 抗震性能25倍于石英振荡器。
5) 支持1-800MHZ任一频点,精确致小数点后5位输出。
6) 支持1.8V、2.5V、2.8V、3.3V多种工作电压匹配。
7) 支持10PPM、20PPM、25PPM、30PPM、50PPM等各种精度匹配。
8) 支持7050、5032、3225、2520所有标准尺寸封装。
9) 标准四脚、六脚封装,无需任何设计改动,直接替代石英振荡器。
10) 支持差分输出、单端输出、压控(VCXO)、温补(TCXO)等产品种类。
11) 300%的市场增长率,三年内有望替代80%以上的石英振荡器市场。

        自1944年创业以来,村田得到了巨大的发展,在2013年度制定的中期构想最终年度的2015年度,营业额达到了在村田的历史上具有里程碑意义的万亿日元。在此衷心感谢广大客户和各利益相关方长期以来的大力支持。进口MURATA晶振,CSTCR-G晶振,CSTCR6M40G55Z-R0晶振
        世界经济的前景虽不明朗,但电子设备社会正在迅速、切实地向前发展。而这样的变化也为村田带来了新的商机。村田制定了新的“中期构想2018”以及“长期构想”,指明了为电子设备社会的发展做贡献的未来发展之路。
在通信市场,由于智能手机所安装元件的增加,以及载波聚合技术※的普及,村田的元件及模块的需求也在不断地提高,今后,通信市场仍将成为村田的一大支柱。为此,我们将通过供应链管理而实现的稳定供应体制,以及范围广泛的产品阵容,为通信市场提供新的价值。
        此外,我们也将把汽车、能源、医疗保健作为重点市场,并提供只有村田才能实现的价值。在新感应技术及通信技术需求不断提高的IoT社会,村田将作为一个重要的参与者来体现其存在的价值,并不断强化制造、技术开发及人才开发等事业基础。
        村田晶振的发展永无止境,而在新的发展过程中“经营理念”也将始终是各项工作的基础。我们要让分布在世界各地的全体村田员工充分理解村田的“经营理念”,使村田永远成为为客户和社会而存在的企业。

Type CSTCR6M40G55Z-R0
Frequency 6.4MHZ
Frequency Tolerance ±0.50% max. (25±1℃)
Operating Temperature Range -40℃ to 125℃
Frequency Shift by Temperature  ± 0.30%max.
Frequency Aging ±0.10% max./year(±3ppm max./5years)
Wash Not available
Load Capacitance 39pF
Equivalent Series Resistance(max.) 50Ω
Drive Level(max.) 0.2μW
Shape SMD
L x W (size) 4.5x2.0mm



        村田无源晶振使用的场合特别多,大部分电路中都会使用到,这也是工程师在做电路设计中,需要了解了注意的一些问题。首先我们需要了解村田无源晶振有哪些基本特性,其次,我们需要知道村田无源晶振在使用中的基本公式等。
        影响无源晶振稳定性的主要有以下几个参数:驱动功率、负载电容和负性阻抗。图一为无源晶振的基本电路。外部的无源晶振、匹配电容和IC内部的驱动部分一起组成整个的振荡电路。进口MURATA晶振,CSTCR-G晶振,CSTCR6M40G55Z-R0晶振
1)驱动功率
        驱动功率表示振荡晶体单元所需的电功率。如果驱动功率太小不足以驱动无源晶振,则会导致晶振不起振;如果驱动功率过大,则会导致输出频率偏移。这是因为功率过大会造成晶体的应力,从而导致温度升高。如果在晶体单元上施加过多的驱动功率,可能会使晶体恶化甚至损坏其特性。驱动功率可以通过下面的公式计算:
DriveLevel=I⊃2;•Re(W)
其中,I表示通过晶体单元的电流,Re表示晶体单元的等效电阻。
        那么如何避免这种问题呢?电阻RD常用来防止晶振被过分驱动,可用一台示波器检测OSC输出脚,如果检测到非常清晰的正弦波,且正弦波的上限值和下限值都符合时钟输入需要,则晶振未被过分驱动;相反,如果正弦波形的波峰,波谷两端被削平,而使波形成为方形,则晶振被过分驱动。这时就需要用电阻RD来防止晶振被过分驱动。判断电阻RD大小的最简单的方法就是串联一个微调电阻,从0开始慢慢调高,一直到正弦波不在被削平为止,通过此办法就可以找到最接近的电阻RD值。

2)负载电容
        理论上,当无源晶振电路的等效电容等于负载电容时,无源晶振输出的频率最准确。而电容具有充放电的功能,电容容值越大,放电越慢,电容容值越小,放电越快。如果测得的实际频率比理论值偏小,说明振荡器振荡频率偏慢,电容的放电太慢,等效电容大于负载电容,需要降低外部的匹配电容。负载电容公式如下:
CL=(CG//CD)+CS
即:CL=[(CGxCD)/(CG+CD)]+CS
其中,CG、CD表示匹配电容,CS表示杂散电容。
        频率容限和负载电容的特性关系,负载电容越大,频率容限越小,输出的频率越容易调准。

3)负性阻抗
        负性阻抗是用来评价振荡回路品质(Q)的指标。在某些情况下(老化,温度变化,电压变化…等),振荡回路会失效,回路可能不起振,因此负性阻抗(Negativeresistance,-R)的确认就变得相对重要。稳定的振荡回路,负性阻抗(-R)至少为Crystal阻抗的5倍以上。
1>串联电阻R到Crystal的输出端(Xout);
2>调整R值,使Crystal由起振至停止振荡;
3>当电路由起振至停止振荡时,测量R值;
4>得到负性阻抗|-R|=R+Re,Re=R1(1+C0/CL)^2,R1就是ESR的值。
        由上可知负载电容CL是非常重要的因素。例如,负载电容小的晶体,驱动功率小,消耗电流小,启动时间短,容易起振,同时也使频率容限大和更坏的频率稳定度。因此在无源晶振选型时,需要充分考虑到这些特性,这样才能设计出可靠的产品。



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